Qualcomm nhân đôi bộ nhớ đệm chip flagship mới, bóng ma ‘ngốn pin’ vẫn ám

Qualcomm đang chuẩn bị ra mắt chip flagship thế hệ tiếp theo mang tên Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, và những thông tin rò rỉ mới nhất cho thấy đây có thể là chip smartphone có bộ nhớ đệm L2 lớn nhất từ trước đến nay.

Theo tipster Digital Chat Station trên Weibo, điểm đáng chú ý nhất của Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro là cấu hình cụm CPU mới theo kiểu ba nhóm ‘2 2 3’, thay vì hai nhóm như trên thế hệ hiện tại Snapdragon 8 Elite Gen 5. Nhờ cấu trúc này, bộ nhớ đệm L2 dùng chung giữa các cụm CPU tăng từ 12 MB lên 16 MB, nếu tính tổng cộng, con số thực tế lên đến 48 MB so với 24 MB của thế hệ trước.

Bộ nhớ đệm L2 là vùng lưu trữ tạm thời giúp chip xử lý dữ liệu nhanh hơn mà không cần phải truy cập vào RAM. Khi dung lượng L2 lớn hơn, các lõi CPU không cần hoạt động lâu để chờ dữ liệu, từ đó tăng tốc độ xử lý và giảm hao pin. Người dùng thực tế sẽ cảm nhận được sự khác biệt qua tốc độ mở ứng dụng nhanh hơn, game có đồ họa nặng chạy mượt mà hơn và thời gian phản hồi khi chơi game cũng được cải thiện.

Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro cũng được cho là giữ nguyên 8 MB bộ nhớ đệm hệ thống (SLC) và 18 MB bộ nhớ GPU, tương đương thế hệ trước. Điều đó cho thấy Qualcomm xác định L2 cache mới là điểm nghẽn chính cần giải quyết ở thế hệ này. Ngoài ra, chip còn hỗ trợ RAM chuẩn LPDDR6, giúp tốc độ truy xuất bộ nhớ nhanh hơn đáng kể so với LPDDR5X hiện tại.

Tải VPBank

Một mối lo ngại được đặt ra là liệu Qualcomm có đẩy xung nhịp quá cao hay không, vốn là điều khiến Snapdragon 8 Elite Gen 5 bị chỉ trích vì tiêu thụ điện năng lớn. Qualcomm chưa có thông báo chính thức về Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, và các con số trên vẫn ở mức tin đồn chờ xác nhận.